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厂商型号

JANTX1N5612 

产品描述

Diode TVS Single Uni-Dir 49V 1.5KW 2-Pin Case G

内部编号

253-JANTX1N5612

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:3
1+¥999.2741
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JANTX1N5612产品详细规格

规格书 JANTX1N5612 datasheet 规格书
XPackage 2G
包装 2Case G
配置 Single
方向类型 Uni-Directional
峰值脉冲功率耗散 1500 W
最大峰值脉冲电流 19 A
最大反向漏泄电流 5 uA
最大钳位电压 78.5 V
最大反向防区外电压 49 V
最小击穿电压 54 V
测试电流 1 mA
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
供应商封装形式 Case G
标准包装名称 Case G
每个芯片的元件数 1
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 175
最小击穿电压 54
最大反向漏泄电流 5
最大钳位电压 78.5
Maximum Reverse Stand-Off Voltage 49
最大峰值脉冲电流 19
筛选等级 Military
最低工作温度 -55
测试电流 1
引脚数 2
峰值脉冲功率耗散 1500
钳位电压 78.5 V
漏电流(最大) 0.005 uA
工作温度范围 -55C to 175C
包装类型 Case G
极性 Uni-Directional
元件数 1
工作温度分类 Military
反向击穿电压 54 V
峰值脉冲电流 116 A
反向断态电压 49 V
测试电流(It ) 1 mA
弧度硬化 No

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